特許

J-GLOBAL ID：201103027405717505

高信頼はんだ接続部をもつパワーモジュール

発明者： 山下 志郎 ,  秦 昌平
出願人/特許権者： 日立オートモティブシステムズ株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-005871
公開番号（公開出願番号）：特開2011-143442
出願日： 2010年01月14日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：

【課題】基板のCuメタライズされた電極と、Cuメタライズされたリード端子あるいはCuメタライズされた半導体部品の端子の接続に、Pbフリーでかつ耐熱性を有するはんだ接続を可能にする。【解決手段】Cuメタライズされた電極9とCuメタライズされた端子を、Cu:0.7〜2.5wt%、Ni:1.5〜9.8wt%、残部がSnであるはんだ7を用いて接続する。電極あるいは端子のメタライズ部9と半田7との間に合金層8が形成される。合金層8は、Cuメタライズ9の側には、Cu3Snが形成され、はんだ7の側には、Cu6Sn5が形成されている。合金層8のうち、機械的な信頼性が問題となるCu3Sn層は薄く形成されるので、接続部の信頼性を高く保つことが出来る。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板に形成された電極と電子部品の端子とをはんだによって接続した接続部を有するパワーモジュールであって、 前記接続部においては、前記電極と前記はんだとの間の第1の界面には、第1の合金が形成され、前記端子と前記はんだとの間に第2の界面には第2の合金が形成され、前記第1の合金と前記第2の合金との間にはんだ領域が存在し、 前記半田領域は、Cu:0.7〜2.5wt%、Ni:1.5〜9.8wt%、残部Snであるはんだであることを特徴とするパワーモジュール。

IPC (4件)：

B23K 35/26 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  C22C 13/00

FI (3件)：

B23K35/26 310A ,  H01L25/04 C ,  C22C13/00