赤外線センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068524
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204779
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いS/N比を有した超小型で、中赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。【解決手段】光センサは、半導体基板の表面に設けられた少なくとも第1のn型半導体層2と、第1の半導体層2上に設けられた光吸収層となる第3のi型半導体層4と、この第3の半導体層4上に設けられた第2のp型半導体層3と、第2のp型半導体層3と第3のi型半導体層4との間の、複数の第4の半導体層5と、第5の半導体層6とから構成されている。第4の半導体層5のバンドギャップは第2、第3の半導体層のバンドギャップより大きく、複数の第4の半導体層5と第5の半導体層6は交互に積層され、超格子構造を形成しており、赤外線によって第3の半導体層で生じた拡散電流およびリーク電流を抑制することによって、入射光量に対する電気出力が増加し、S/N比の向上を実現した。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の表面に第1のn型半導体層、第2のp型半導体層及びこれらの間に光吸収層となる第3のi型半導体層を有するPINフォトダイオードを含む赤外線センサであって、前記第2のp型半導体層と、第3のi型半導体層との間に、前記第2のp型半導体層および前記第3のi型半導体層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する第4の半導体層と、第5の半導体層とが交互に積層され、前記第4の半導体層および前記第5の半導体層が超格子構造を形成していることを特徴とする赤外線センサ。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (10件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049NA04 , 5F049NA19 , 5F049PA01 , 5F049QA16 , 5F049SS02 , 5F049SZ12 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体光検知装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-054447 出願人：富士通株式会社
赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-126921 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
金属-半導体-金属型受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-019659 出願人：日本電信電話株式会社

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