特許
J-GLOBAL ID：201103027855894202
プロセスシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232099
特許番号：特許第3123533号
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と酸化膜層の界面におけるオキシダント濃度に基づいて前記界面上の各節点の変位ベクトルを所定の時間刻みで計算して半導体装置を模擬的に製造するプロセスシミュレーション方法において、前時刻におけるオキシダント濃度の計算時に移動した移動節点の両側で隣接する2つの隣接節点が前記前時刻に移動したか否かを判定し、前記2つの隣接節点の一方が移動して他方が移動しなかったとき、他方の隣接節点の前時刻の変位ベクトルの単位ベクトルと一方の隣接節点の現時刻の変位ベクトルの単位ベクトルを合成した合成ベクトルに基づいて前記移動節点の変位ベクトルの方向を修正し、前記移動節点の修正された変位ベクトルに基づいて前記移動節点上の前記酸化層の膜厚を計算することを特徴とするプロセスシミュレーション方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, G06F 17/50 636
, G06F 17/50 666
, H01L 21/316
H01L 21/205
, G06F 17/50 636 D
, G06F 17/50 666 S
, H01L 21/316 Z
, H01L 21/94 A
