特許

J-GLOBAL ID：201103027920561470

電流センサ

発明者： 有木 伴秀 ,  黒田 道毅 ,  塚本 武 ,  石原 正人 ,  野村 江介
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-244717
公開番号（公開出願番号）：特開2011-089931
出願日： 2009年10月23日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】 外来磁界が作用した場合であっても、検出した電流の大きさに誤差が発生することのない電流センサを実現する。【解決手段】 基板51の表面51aにはバイアス磁石31が配置されており、バイアス磁石31とバスバー90との間にはMRE21が配置されている。バスバー90を挾んでバイアス磁石31と反対側の位置にはバイアス磁石32が配置されており、バイアス磁石32とバスバー90との間にはMRE22が配置されている。MRE21,22は差動増幅回路53に接続されている。外来磁界によって発生する各MREの出力電圧の変動分は同一であるため、差動増幅回路53の出力に誤差は発生しない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁界を発生する第1の磁界発生部と、 検出対象となる被検出電流が流れる電路と前記第1の磁界発生部との間に配置され、付与される磁気の変化に応じて抵抗値が変化する第1の磁気抵抗素子と、 前記電路を挾んで前記第1の磁界発生部と反対側の位置に配置され、前記第1の磁界発生部の磁極と対向する磁極が同じ磁極となるように配置された第2の磁界発生部と、 前記電路と前記第2の磁界発生部との間に配置され、付与される磁気の変化に応じて抵抗値が変化する第2の磁気抵抗素子と、を備えており、 前記第1の磁界発生部から発生される磁界によって前記第1の磁気抵抗素子にて発生する磁気ベクトルと、前記電路に流れる被検出電流によって前記第1の磁気抵抗素子にて発生する磁気ベクトルとを合成した磁気ベクトルを第1の合成磁気ベクトルとし、前記第2の磁界発生部から発生される磁界によって前記第2の磁気抵抗素子にて発生する磁気ベクトルと、前記電路に流れる被検出電流によって前記第2の磁気抵抗素子にて発生する磁気ベクトルとを合成した磁気ベクトルを第2の合成磁気ベクトルとした場合に、 前記第1の磁気抵抗素子は、前記第1の合成磁気ベクトルの大きさおよび位相の変化を、振幅および周期を有する第1の検出信号として出力するように構成されており、 前記第2の磁気抵抗素子は、前記第2の合成磁気ベクトルの大きさおよび位相の変化を、前記第1の検出信号と同じ振幅を有し、かつ、位相が前記第1の検出信号と90度異なる第2の検出信号として出力するように構成されており、 前記第1および第2の検出信号の差分を出力する出力部を備えることを特徴とする電流センサ。

IPC (1件)：

G01R 15/20

FI (1件)：

G01R15/02 A

Fターム (3件)：

2G025AA00 ,  2G025AB01 ,  2G025AC04