特許
J-GLOBAL ID：201103028110730697
半導体ウエーハ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-275217
公開番号（公開出願番号）：特開平3-136345
特許番号：特許第2600399号
出願日： 1989年10月23日
公開日（公表日）： 1991年06月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体ウエーハを1枚づつ表面処理する枚葉処理方式の半導体ウエーハ処理装置であって、半導体ウエーハに表面処理が施されるプロセス反応室に真空仕切り弁を介して連設された1つの真空容器内に、表面処理前の半導体ウエーハを予備加熱する加熱手段と,表面処理後の半導体ウエーハを冷却する冷却手段と,半導体ウエーハを保持して前進後退,上昇下降,水平旋回させる機能を持ち該真空容器外部から該容器内へ表面処理前の半導体ウエーハを取り込むとともに前記プロセス反応室内のウエーハステージへ前記加熱手段による予備加熱後の半導体ウエーハを受け渡しする搬送機構とが相互間の仕切りを設けることなく開放状態に配設され、かつ該加熱手段と冷却手段とのそれぞれ下方に、半導体ウエーハが載置されて該半導体ウエーハを上下方向に移動させるウエーハ上下機構を備えるとともに該真空容器が加熱手段の反搬送機構側に半導体ウエーハが装填されたカセットを収容するカセット室を気密に結合可能に形成されていることを特徴とする半導体ウエーハ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
H01L 21/68 A
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 A
