特許

J-GLOBAL ID：201103028120417474

発光素子

発明者： 安田 隆則
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-177633
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035042
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】発光のバラツキを抑えた発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の発光素子は、一導電型を示す第1半導体層2aと、第1半導体層2a上に設けられた活性層2bと、活性層2b上に設けられ、逆導電型を示し、Alx1Ga(1-x1-y1)Iny1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1+y1≦1)からなる第2半導体層2cと、第2半導体層2cの主面2Aに、平面透視した状態で、活性層2bと少なくとも一部が重なるように設けられ、前記第2半導体層より大きなバンドギャップを有するAlx2Ga(1-x2-y2)Iny2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2+y2≦1)からなる第3半導体層3と、第1半導体層2aに設けられた第1電極4と、第2半導体層2cの主面2Aに設けられた第2電極5と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一導電型を示す第1半導体層と、 前記第1半導体層上に設けられた活性層と、 前記活性層上に設けられ、逆導電型を示し、Alx1Ga(1-x1-y1)Iny1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1+y1≦1)からなる第2半導体層と、 前記第2半導体層の主面に、平面透視した状態で、前記活性層と少なくとも一部が重なるように設けられ、前記第2半導体層より大きなバンドギャップを有するAlx2Ga(1-x2-y2)Iny2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2+y2≦1)からなる第3半導体層と、 前記第1半導体層に設けられた第1電極と、前記第2半導体層の前記主面に設けられた第2電極と、を備えた発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (4件)：

5F041AA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40