特許

J-GLOBAL ID：201103028163751912

電子デバイス、薄膜トランジスタおよび半導体層を形成させるためのプロセス

発明者： イーリヤン ウー ,  ナン-シン フー ,  ピン リュー ,  ハディ ケイ マハバディ ,  ポール エフ スミス ,  ジュセッパ バラニー
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-225378
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082517
出願日： 2010年10月05日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】OTFTの移動度を改良する。【解決手段】半導体層を含む電子デバイスであって、半導体層が、(i)有機半導体および(ii)グラフェンを含む、電子デバイスである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体層を含む電子デバイスであって、 前記半導体層が、(i)有機半導体および(ii)グラフェンを含む、 電子デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/368

FI (5件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L21/368 L

Fターム (45件)：

5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27