特許

J-GLOBAL ID：201103028178777918

酸化物薄膜形成方法

発明者： 門 勇一 ,  有田 睦信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-081531
公開番号（公開出願番号）：特開平2-263979
特許番号：特許第2824972号
出願日： 1989年04月03日
公開日（公表日）： 1990年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】超高真空槽内に設けられた酸化物ソースを電子ビームで加熱、蒸発させることにより、基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜形成方法において、前記電子ビームのランプレートを制御することにより、酸化物ソースから基板に向かって飛来する酸化物分子束強度と酸素分子束強度との比が所定の値に達したときのみ前記基板上に酸化物薄膜を形成するようにしたことを特徴とする酸化物薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/30 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/22 501

FI (4件)：

C23C 14/30 A ,  C23C 14/08 ZAA L ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/22 501 E