特許

J-GLOBAL ID：201103028257476168

半導体集積回路装置

発明者： 濱本 武史 ,  小林 稔史 ,  山形 整人 ,  三原 雅章
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-308003
公開番号（公開出願番号）：特開平3-166761
出願日： 1989年11月27日
公開日（公表日）： 1991年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主表面を有する半導体基板と、前記主表面上に形成される第1の導電領域と、前記主表面上に、前記第1の導電領域と間を隔てて形成され、かつ前記第1の導電領域と電気的に接続されるべき第2の導電領域と、前記第1の導電領域および第2の導電領域に接続された容量素子とを含み、前記容量素子は、前記第1の導電領域と第2の導電領域とを電気的に接続するための第1の導電層と、前記第1の導電層の上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第2の導電層とを含む半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  G11C 11/401 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 681 E 7735-4M ,  H01L 27/10 621 Z 7735-4M ,  G11C 11/34 352 Z