特許

J-GLOBAL ID：201103028295603629

半導体装置の製造方法

発明者： 趙 成洙 ,  長谷川 新一
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-038698
公開番号（公開出願番号）：特開平2-218135
特許番号：特許第2796724号
出願日： 1989年02月17日
公開日（公表日）： 1990年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の一主面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第1導電層を形成する工程と、前記第1導電層上に層間絶縁層を形成する工程と、前記第1導電層及び前記層間絶縁層を同一パターンにパターニングする工程と、前記第1導電層の側面と前記層間絶縁層の側面とに亘って絶縁被覆膜を選択的に形成する工程と、前記絶縁被覆膜のない前記一主面上に存在するコンタクトホールの下に前記絶縁被覆膜をマスクとして拡散層を形成する工程と、前記コンタクトホールに第2導電層を被着する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/10 671 B ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-045069