基板生産物の製造方法、基板生産物、及び半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 黒木義樹 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-140359
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287731
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。【解決手段】シリコン基板等の支持基板20上に窒化ガリウム層30を有する基板生産物1を製造する方法であって、窒化ガリウム基板10の表面10aにイオン注入を行う工程と、表面10aを洗浄する工程と、表面10aと支持基板20の表面20aとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板10のうち表面10aを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層30を支持基板20上に形成する工程とを含む。表面10aを洗浄する工程の際、洗浄後の表面10aにおけるFe,Cr,Ni,及びSiの密度を合計で1×1018[cm-3]以下とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体とは異なる材料から成る支持基板上に窒化物系化合物半導体層を有する基板生産物を製造する方法であって、窒化物系化合物半導体基板の表面にイオン注入を行う工程と、前記窒化物系化合物半導体基板の表面を洗浄する工程と、前記窒化物系化合物半導体基板の表面と前記支持基板の表面とを互いに接合させる工程と、前記窒化物系化合物半導体基板のうち表面を含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化物系化合物半導体層を前記支持基板上に形成する工程とを備え、前記窒化物系化合物半導体基板の表面を洗浄する工程の際に、洗浄後の前記窒化物系化合物半導体基板の表面におけるFe,Cr,Ni,及びSiの密度を合計で1×1018[cm-3]以下とすることを特徴とする、基板生産物の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/02 , H01L 33/32 , H01L 21/20 , H01L 21/304 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (5件)：

H01L21/02 B , H01L33/00 186 , H01L21/20 , H01L21/304 647Z , H01L29/48 F

Fターム (40件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104GG03 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA71 , 5F041CA73 , 5F041CA77 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM02 , 5F152MM10 , 5F152NN03 , 5F152NP13 , 5F152NQ09 , 5F152NQ17 , 5F157AA23 , 5F157AA49 , 5F157AA50 , 5F157AA73 , 5F157AA81 , 5F157AB96 , 5F157AC01 , 5F157BB73 , 5F157BC53 , 5F157BE23 , 5F157BE33 , 5F157DA31 , 5F157DB18

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