半導体装置の製造方法及びその半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：速水進治 , 野本可奈 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-152982
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009581
出願日： 2009年06月26日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】高速動作可能な半導体装置を歩留まりよく製造する。【解決手段】エアギャップを形成させない領域1、及び、エアギャップを形成させる領域2がそれぞれ設けられた絶縁膜102を用意し、領域1の表面をレジスト104で覆い、領域1がレジスト104で覆われた絶縁膜102の領域2をプラズマ処理し、プラズマ処理された絶縁膜102からレジスト104を除去し、レジスト104を除去した絶縁膜102の領域1、2にCu配線105を埋め込み、プラズマ処理された領域2の絶縁膜102を除去してCu配線105の側面にエアギャップ108を形成して半導体装置を製造する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

エアギャップを形成させない第一の領域、及び、エアギャップを形成させる第二の領域がそれぞれ設けられた絶縁膜を用意する工程と、前記第一の領域の表面をマスク膜で覆う工程と、前記第一の領域が前記マスク膜で覆われた前記絶縁膜の前記第二の領域をプラズマ処理する工程と、前記プラズマ処理された前記絶縁膜から前記マスク膜を除去する工程と、前記マスク膜を除去した前記絶縁膜の前記第一、第二の領域に金属配線を埋め込む工程と、プラズマ処理された前記第二の領域の前記絶縁膜を除去して前記金属配線の側面にエアギャップを形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (1件)：

H01L21/90 N

Fターム (26件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ20 , 5F033QQ35 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR29 , 5F033RR30 , 5F033UU04 , 5F033VV07 , 5F033WW01 , 5F033XX17 , 5F033XX24

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