特許
J-GLOBAL ID：201103028937320413
半導体メモリ装置のセンシング回路並びにこれを用いたセンシング方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317952
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173284
特許番号：特許第3828694号
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】メモリセルのドレイン端に連結されたビットラインと、
前記メモリセルのデータをセンシングして出力するためのセンスラインと、
前記ビットラインとセンスライン間をスイッチングするスイッチ部と、
電源電圧と前記ビットラインとの間に形成され、前記メモリセルのビットラインに電流を供給する第1電流源と、
前記電源電圧と前記センスラインとの間に形成され、センスラインに電流を供給する第2電流源と、
前記ビットラインと前記センスライン間に一定の電位差を与える電圧レベルシフタと、
前記センスラインと前記接地電圧との間に形成され、ゲート端が前記電圧レベルシフタの一端に連結されるセンスMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置のセンシング回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
-
EPROMセル読み取り回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-346044
出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ
審査官引用 (1件)
-
EPROMセル読み取り回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-346044
出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ
前のページに戻る
