特許
J-GLOBAL ID：201103029107493257
マスクパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110705
特許番号：特許第3222118号
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】紫外線を光源としてマスク上を照明し、得られるマスク反射光をミラーを含む光学系を介してウェハ上に投影露光せしめるリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、該マスクの下地基板が熱伝導性の低い材料からなるとともに、該下地基板上のマスクパターン材料と、該マスクパターンをドライエッチングで加工する際に用いられる反応ガスとを、該ドライエッチング時に生成される反応生成物の少なくとも一種が室温ないしは該ドライエッチング中に昇温した基板温度において固相になるごとく組み合わせて構成したことを特徴とするマスクパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, G03F 7/20 502
, H01L 21/027
G03F 1/08 G
, G03F 1/14 F
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 531 M
