特許
J-GLOBAL ID：201103029184396426
微細パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236100
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060583
特許番号：特許第3293803号
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所望パターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして微細パターンを形成する方法であって、エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルの重合体、あるいはそれらのエステル類の共重合体を主成分とする化学増幅型フォトレジストを下地膜上に形成する工程と、露光および現像により、前記フォトレジストをパターニングして、レジストパターンを形成する工程と、化学活性線照射により、前記フォトレジストに含まれる炭素と酸素の結合基を減少させる工程と、を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/40 521
, H01L 21/302 H
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 570
, H01L 21/302 J
