半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-003976
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146428
出願日： 2010年01月12日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：

【課題】第1の領域中の層間絶縁膜を湿式エッチングにより除去する際に、使用する薬液が第2の領域に浸透することを防止する。これにより、第2の領域の特性の劣化がない、高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】第1の領域と、第1の領域を囲むように設けられたガードリングと、ガードリングの外側に設けられた第2の領域と、を有する半導体装置。第1の領域は、導電性を有する第1の膜によって構成された第1の電極を有する。第1の領域中の第1の電極の表面は、第2の膜で覆われていない。ガードリングは、凹状の溝の内壁を覆う第1の膜と、凹状の溝の内部において少なくとも第1の膜の表面の一部を覆う絶縁性の第2の膜を有する。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

第1の領域と、前記第1の領域を囲むように設けられたガードリングと、前記ガードリングの外側に設けられた第2の領域と、を有し、前記第1の領域は、導電性を有する第1の膜によって構成された第1の電極を有し、前記ガードリングは、凹状の溝の内壁を覆う第1の膜と、前記凹状の溝の内部において前記第1の膜の表面の少なくとも一部を覆う絶縁性の第2の膜と、を有し、前記第1の領域の前記第1の電極の表面は、前記第2の膜で覆われていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/10 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (5件)：

H01L27/10 681F , H01L27/10 621C , H01L27/10 671B , H01L27/10 481 , H01L21/88 S

Fターム (62件)：

5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033HH28 , 5F033HH34 , 5F033JJ04 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS02 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV00 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033XX00 , 5F083AD04 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F083ZA01

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