特許

J-GLOBAL ID：201103029408280089

半導体ウェハ

発明者： 千葉 貞一郎 ,  佐藤 悦郎 ,  田近 淳
出願人/特許権者： SUMCO TECHXIV株式会社
代理人 (1件)： 野口 武男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223380
特許番号：特許第4109371号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェハにあって、その外周面に形成されたノッチの内壁面に径が1〜13μmのレーザ照射による微小ドットマークが形成されてなることを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (1件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/02 A