電圧非直線抵抗体及びその製造方法、並びに、この電圧非直線抵抗体を用いたバリスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下武一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322429
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143909
特許番号：特許第3503548号
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】不純物をドープしたSiCを主成分とし、該主成分にAlを添加してなり、不純物をドープしたSiCの粒子表面にAl2O3およびAl6Si2O13の金属酸化物とSiO2とが形成されていることを特徴とする電圧非直線抵抗体。

IPC (1件)：