特許

J-GLOBAL ID：201103029879058610

半導体装置用基板、及び半導体装置

発明者： 小屋敷 剛 ,  原 章雄
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (4件)： 松倉 秀実 ,  平川 明 ,  高田 大輔 ,  遠山 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-037620
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176036
出願日： 2010年02月23日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】構造的な自由度を確保しつつ十分に熱応力を緩和可能な半導体装置用の基板、及び半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体チップ2がバンプ5を介して実装される半導体装置9用の基板1であって、半導体チップ2が載置される基板1の上面に形成された上面側の溝4Uと、基板1の下面に形成された下面側の溝4Lと、を備え、上面側の溝4Uの少なくとも一部と下面側の溝4Lの少なくとも一部は、基板1の上面に実装される半導体チップ2の中心を囲むように形成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体チップがバンプを介して実装される半導体装置用の基板であって、 前記半導体チップが載置される前記基板の上面に形成された上面側の溝と、 前記基板の下面に形成された下面側の溝と、を備え、 前記上面側の溝の少なくとも一部と前記下面側の溝の少なくとも一部は、前記基板の上面に実装される前記半導体チップの中心を囲むように形成されていることを特徴とする 半導体装置用の基板。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/12 501B ,  H01L23/12 F