特許

J-GLOBAL ID：201103029947920709

半導体素子基板の製造方法

発明者： 木村 尚己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-025180
公開番号（公開出願番号）：特開2011-165788
出願日： 2010年02月08日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【課題】簡単な方法で被転写領域を拡大でき、転写精度を向上させる事のできる半導体素子基板の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子基板の製造方法は、半導体素子が形成された転写元基板100に第1の粘度のシール材103を枠状に描画する描画工程と、シール材103の枠内にシール材103と類質で且つ第1の粘度より粘度の低い第2の粘度の接着剤104を塗布する塗布工程と、転写元基板100の接着剤104塗布面に第1転写先基板200を貼り合せる貼り合せ工程と、半導体素子を転写元基板100より第1転写先基板200へと転写する転写工程とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された第1基板に第1の粘度のシール材を枠状に描画する描画工程と、 前記シール材の枠内に前記シール材と類質で且つ前記第1の粘度より粘度の低い第2の粘度の接着剤を塗布する塗布工程と、 前記第1基板の前記接着剤の塗布面に第2基板を貼り合せる貼り合せ工程と、 前記半導体素子を前記第1基板より前記第2基板へと転写する転写工程と、 を有することを特徴とする半導体素子基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (1件)：

H01L27/12 B