特許
J-GLOBAL ID:201103030017682814
ビスマス系酸化物超電導体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-343487
公開番号(公開出願番号):特開平3-201319
特許番号:特許第3149170号
出願日: 1989年12月27日
公開日(公表日): 1991年09月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】100K以上の臨界温度を持つビスマス系酸化物超電導材料を主成分とする粉末を金属シースで被覆する工程と、前記金属シースで被覆された粉末を80%以上の加工度で伸線加工して線材を得る工程と、前記線材を80%以上の加工度で平角またはテープ状に圧延加工する工程とを備えたことを特徴とする、ビスマス系酸化物超電導体の製造方法。
IPC (3件):
H01B 13/00 565
, B21F 19/00
, H01B 12/04 ZAA
FI (3件):
H01B 13/00 565 D
, B21F 19/00 G
, H01B 12/04 ZAA
引用特許:
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