特許
J-GLOBAL ID：201103030106640831
オーミック電極とその製造方法、および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080974
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277455
特許番号：特許第3654037号
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 InPかまたはこれと他のIII-V族半導体との混晶組成物からなるp型半導体結晶からなる基材上に積層された複数の金属層からなるオーミック電極であって、該基材側からの第一の層がVB族元素からなり、その上にZnを含む第二の層を形成し、さらにその上に第三の層以降の層が順次積層されたオーミック電極。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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