特許

J-GLOBAL ID：201103030219955367

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 堀之内 恵子
出願人/特許権者： NEC液晶テクノロジー株式会社
代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  木村 明隆 ,  浅井 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158361
特許番号：特許第4371567号
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板の上に堆積させたゲート絶縁膜の上に半導体膜パターンを形成する工程と、前記半導体膜パターンを覆って前記ゲート絶縁膜の上に金属膜を堆積させた後、前記金属膜をパターニングして前記半導体膜パターンと一部重なるソース・ドレイン電極を形成し、続いて、前記ソース・ドレイン電極をマスクとして前記半導体膜パターンをその表面から一部エッチング除去して半導体膜パターンにバックチャネル領域を形成する工程と、前記基板をアルカリ洗浄液に浸して前記バックチャネル領域の表面を洗浄すると同時にスライトエッチングする工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記アルカリ洗浄液に浸す工程は第1アルカリ洗浄液に浸す工程の次に第2アルカリ洗浄液に浸す工程を含み、洗浄作業前のアルカリ濃度の初期設定において、前記第1アルカリ洗浄液は、前記第2アルカリ洗浄液よりも高いアルカリ濃度に設定されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/304 642 B