半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303179
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127369
特許番号：特許第3444536号
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】活性層を含む複数の半導体層を積層して半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体の前記半導体層に近い側の表面に、各々が平行の複数の劈開用溝部を形成する工程と、前記劈開用溝部と直交する方向に前記半導体積層体を劈開することにより、該劈開方向を長手方向とする複数のバー状素子結合体を形成する工程と、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設けた側の面を支持台側にして前記バー状素子結合体を前記支持台上に載置する工程と、前記バー状素子結合体の前記長手方向に非回転体である押圧体を移動しながら、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設けた面とは反対側の面に対して一定の荷重を前記押圧体により印加することにより、前記劈開用溝部で前記バー状素子結合体が劈開される工程と、を有することを特徴とする半導体レーザー素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/02

FI (1件)：

H01S 5/02

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭57-063845
特開昭62-137894
特開昭62-296578

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審査官引用 (4件)

特開昭57-063845
特開昭62-137894
特開昭62-296578

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