シリコン単結晶の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：波多野久 , 関口俊三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122890
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319087
特許番号：特許第3670513号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】容器内に収容されたシリコン原料融液に種結晶を接触させて種結晶からシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、容器にシリコン原料を供給して溶融する工程と、このシリコン原料融液にドーパントを添加して融液中に溶込ませる工程と、種結晶をシリコン原料融液に接触させてシリコン単結晶を引上げる工程とを有し、前記ドーパントとして、砒素よりなるドーパント本体に酸窒化砒素を被覆した砒素ドーパントを用いることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：