特許

J-GLOBAL ID：201103030542542640

集積回路作製方法

発明者： 笠原 北都
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-049137
公開番号（公開出願番号）：特開平2-228020
特許番号：特許第2815602号
出願日： 1989年02月28日
公開日（公表日）： 1990年09月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に順次酸化膜、多結晶シリコン膜を形成しパターニングプロセスを経て前記半導体基板上に集積回路を形成する集積回路作製方法において、前記パターニングプロセスは、前記多結晶シリコン膜上にフォトレジストを塗布する塗布プロセスと、前記半導体基板を仮想の格子縞で複数の領域に分割し、前記複数の領域のうち互い違いの関係にある領域上の前記レジストのみを露光する選択露光プロセスと、前記多結晶シリコン膜をイオンエッチングする加工プロセスと、を有し、前記露光プロセスにおいて露光すべき領域を変化させて前記パターニングプロセスを繰り返すことにより精度良く回路を形成することができることを特徴とした集積回路作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/302 J