半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236186
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060688
特許番号：特許第3344381号
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型ドレイン領域に隣接して第2導電型ベース領域が形成され、該ベース領域の周囲にはトレンチが形成されて該トレンチ内にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ベース領域の表面に前記トレンチに沿って無端状の第1導電型ソース領域が形成されてなる、複数の矩形のトレンチ構造の単位セルにより構成される半導体装置であって、前記単位セルの矩形表面におけるセル中央部及び該セル中央部の周囲から放射状に延びたセル対角線状部に、ソース非形成領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653

FI (3件)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 653 A

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