特許
J-GLOBAL ID：201103030739148790
量子プロセッサを較正し、制御し、動作させるためのシステム、方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-510652
公開番号（公開出願番号）：特表2011-524043
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
量子アニーリングは、量子プロセッサの量子ビット(例えば、超伝導量子プロセッサの超伝導磁束量子ビット)に無秩序項を付加し徐々に取り除く工程を含むことができる。問題ハミルトニアンは量子ビットに制御信号を印加することにより設定され得る。展開ハミルトニアンは無秩序項を付加することにより、そして無秩序項を徐々に取り除くことによりアニーリングすることにより、設定される。量子ビット内の永久電流の変化を補正することができる。乗算器は、例えばそれぞれのスケーリング係数を印加することにより様々な量子ビットとグローバル信号線間の結合を仲介することができる。2つのグローバル信号線は、通信的に結合された一対の量子ビットのそれぞれの量子ビットに結合するために互いに入り組んだパターンで構成することができる。規定信号に対する互いの応答を測定するために量子ビット対を通信的に分離して使用することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
超伝導磁束量子ビットを含む超伝導量子プロセッサを使用する量子アニーリング方法であって、
各量子ビットに磁束バイアスを印加し、これにより問題ハミルトニアンを少なくとも部分的に規定する工程と、
各量子ビットに無秩序項を付加し、これにより展開ハミルトニアンを少なくとも部分的に規定する工程と、
各量子ビットに適用された前記無秩序項を徐々に除去し、これにより各量子ビット内の永久電流の変化を誘起する工程と、
各量子ビットに適用された前記磁束バイアスを動的に変更することにより各量子ビット内の前記永久電流の変化を補正する工程と、
前記量子プロセッサ内の少なくとも1つの量子ビットの状態を測定する工程と、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4M113AC08
, 4M113AC45
, 4M113AD03
, 4M113AD23
, 4M113CA12
, 4M113CA13
