特許
J-GLOBAL ID：201103030782920219
デバイスシミュレーション方法、デバイスシミュレーションシステム、およびシミュレーションプログラムを記録した記録媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
佐藤 一雄
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299454
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110960
特許番号：特許第3955723号
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 格子点ごとに、平衡状態における不純物のイオン化率を計算する第1のステップと、
量子多体効果を考慮に入れて、前記第1のステップで計算されたイオン化率を用いて、平衡状態における不純物のイオン化率を再計算するとともに、電子および正孔の密度を計算する第2のステップと、
前記第2のステップで計算されたイオン化率と、電荷の連続式およびポアソン方程式を解いて得られた電子密度、正孔密度および静電ポテンシャルとに基づいて、非平衡状態における不純物のイオン化率を計算する第3のステップと、
前記第3のステップにより計算された静電ポテンシャルと不純物のイオン化率とが収束したか否かを判定する第4のステップと、
前記第4のステップにより収束したと判定されると、最終的な静電ポテンシャルと不純物のイオン化率を出力する第5のステップと、
前記第4のステップにより収束しないと判定されると、静電ポテンシャルに対する不純物のイオン化率の変化の割合に不純物濃度を乗じて得られる値を、静電ポテンシャルに対する電子濃度の変化の割合または静電ポテンシャルに対する正孔濃度の変化の割合の一部として加えることによりポアソン方程式を解いて、電子密度、正孔密度および静電ポテンシャルを計算する第6のステップと、を備えることを特徴とするデバイスシミュレーション方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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