特許

J-GLOBAL ID：201103030854426095

半導体装置及びその製造方法

発明者： 足立原 孝実
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351022
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168056
特許番号：特許第3489094号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板に対して垂直方向に延びる電極領域と、前記電極領域の上端に接し且つ少なくとも一部が前記基板に対して水平方向に延びる配線領域からなる電極を有するとともに、前記垂直方向に延びる電極領域の側壁の内、前記配線領域の延在方向と交差する方向の側壁に接し、且つ、前記配線領域の延在方向と交差する方向に延在する下層サイドウォールを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-208945
  
• 特開昭60-132328
  
• 特開平1-110727
  
• 特開昭60-136228