特許
J-GLOBAL ID：201103030968010379
磁界センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
津田 淳 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-231359
公開番号（公開出願番号）：特開平2-121378
特許番号：特許第2781021号
出願日： 1989年09月06日
公開日（公表日）： 1990年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】比較的短いキャリア再結合時間と高いキャリア移動度とを均一なn型又はp型のバルク形で呈する半導体材料のn-i-p-i超格子によって形成された複数の層のドーピング超格子からなる半導体結晶素子(11、52)を有する磁界センサであって、前記超格子が、前記層の第1の組の向かい合う側面と、前記層の前記第1の組の向かい合う側面とは異なる第2の組の向かい合う側面と、短いキャリア再結合時間の少なくとも1つの領域(24、54)に隣接する長いキャリア再結合時間の少なくとも1つの領域(26、35、45)とを有しており、検出されるべき磁界に応じて、前記長いキャリア再結合時間の領域から前記短いキャリア再結合時間の領域へ向かう方向と、前記短いキャリア再結合時間の領域から前記長いキャリア再結合時間の領域へ向かう方向とのうちのいずれか1つの方向においてキャリアの偏向が生じることを特徴とする磁界センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
