特許

J-GLOBAL ID：201103031035435758

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 康孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133115
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329678
特許番号：特許第3396030号
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜上に,少なくとも一部が金属材料からなるゲート電極が形成される半導体装置の製造方法であって,前記半導体基板上に形成されたゲート電極層をエッチングして,その側壁に金属系副生成物を形成しながらゲート電極を形成する工程と,前記ゲート電極の側壁に形成された前記金属系副生成物を酸化する工程と,前記酸化された金属系副生成物を,前記ゲート絶縁膜に対するエッチングレートが10Å/min以下に調整された溶液により除去する工程と,を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/308 G ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 N