特許
J-GLOBAL ID：201103031060518650

変調コーディングを使用するセル間干渉軽減のための方法および装置

発明者：
グレーフ,ニルズ

グレーフ,ニルズ について

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ハラッシュ,エリック,エフ.

ハラッシュ,エリック,エフ. について

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イヴコヴィック,ミロス

イヴコヴィック,ミロス について

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クラチコヴスキー,ヴィクター

クラチコヴスキー,ヴィクター について

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ヴィトヤエーヴ,アンドレイ

ヴィトヤエーヴ,アンドレイ について

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イエン,ジョンソン

イエン,ジョンソン について


出願人/特許権者：
エルエスアイ コーポレーション

エルエスアイ コーポレーション について


代理人 (5件)： 岡部 讓 ,  岡部 正夫 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳 ,  ▲濱▼口 岳久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-516838
公開番号（公開出願番号）：特表2011-527159
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
変調コーディングを使用するセル間干渉軽減のための方法および装置が提供される。フラッシュ・メモリのプログラミング中に、1つまたは複数の事前定義された基準に違反する値でプログラミングされるフラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるようにフラッシュ・メモリをプログラミングするための1つまたは複数のレベルを選択する変調符号化が、実行される。フラッシュ・メモリの読み取り中に、1つまたは複数の事前定義された基準に違反する値で読み取られるフラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるようにフラッシュ・メモリにおけるセルに1つまたは複数のレベルを割り当てる変調復号が、実行される。事前定義された基準は、例えば、プログラミングされたセルによってもたらされる妨害の量、プログラミングされたセルの電圧シフト、プログラミングされたセルによって格納される電圧、プログラミングされたセルを流れる電流の変化の量、およびプログラミングされたセルを流れる電流の量の1つまたは複数に基づくことが可能である。
請求項（抜粋）：
フラッシュ・メモリをプログラミングするための方法であって、 1つまたは複数の事前定義されたレベルでプログラミングされる前記フラッシュ・メモリにおけるセルの数が、より少なくなるように前記フラッシュ・メモリをプログラミングするための1つまたは複数のレベルを選択することを備える方法。
IPC (2件)：
H03M 13/41 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
H03M13/41 ,  G11C17/00 611Z
Fターム (11件)：
5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA19 ,  5B125CA20 ,  5B125DB01 ,  5B125DB19 ,  5B125EA05 ,  5B125FA05 ,  5J065AE06 ,  5J065AH13 ,  5J065AH22
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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