絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉順之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349561
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232228
特許番号：特許第3614333号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の絶縁表面上に高融点金属からなるゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極を覆って、酸素雰囲気において、マグネトロン型RFスパッタ法により、石英又は単結晶シリコンのターゲットを用いて、ゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜を形成した後、前記基板を大気に曝すことなく、水素の分圧が20%以上の水素とアルゴンの混合気体の雰囲気において、酸素濃度が5×1018cm-3以下の単結晶シリコンのターゲットを用いて、マグネトロン型RFスパッタ法によりチャネル領域を設けるための酸素濃度が7×1019cm-3以下の非晶質珪素膜を前記酸化珪素膜上に接して形成し、前記非晶質珪素膜を形成した後、前記基板を大気に曝すことなく、前記非晶質珪素膜を450〜700°Cの温度で加熱して結晶化することにより、レーザーラマン分析により520cm-1よりも低波数側にずれた結晶性を有することを示すピークが測定される結晶性の珪素膜を形成する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法であって、前記酸化珪素膜の形成、前記非晶質珪素膜の形成及び前記非晶質珪素膜の加熱は、それぞれ同一の装置の異なる室において行われ、前記酸化珪素膜を形成する反応室及び前記非晶質珪素膜を形成する反応室は、マグネトロン型RFスパッタ法による専用の反応室であって、それぞれ反応室ごとに独立したゲート弁に仕切られて基板通過室に接続され、前記基板通過室において、前記結晶化のための450〜700°Cでの前記非晶質珪素膜の加熱を行うことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , C23C 14/34 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/78 618 A , C23C 14/34 M , H01L 21/20 , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (33件)

特開平1-103825
特開平2-194620
特開平1-157520

全件表示

前のページに戻る