半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-247304
公開番号（公開出願番号）：特開平3-108720
特許番号：特許第2867468号
出願日： 1989年09月22日
公開日（公表日）： 1991年05月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の導電領域上の層間絶縁膜に接続孔を形成し、次いで、上記接続孔内に高融点金属膜を選択成長して接続孔を該高融点金属膜で埋め込み、次いで、上記基板を、上記高融点金属膜を成す金属とで蒸気圧の高い反応生成物つくりやすいガスの雰囲気に晒すことにより該高融点金属膜表面部に部分的に反応部分を生ぜしめ、その後、上記高融点金属膜の表面部に対してその上記反応部分と非反応部分とでエッチングレートの異なるエンチング処理を施して該高融点金属膜の表面に凹凸を生ぜしめることにより該表面の面積を増大させ、しかる後、上記層間絶縁膜上に、上記高融点金属膜を介して上記導電領域と接続される上層配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-204950
特開昭63-192272
特開昭58-209144

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