特許

J-GLOBAL ID：201103031425792586

セフェム化合物の製造方法

発明者： 田中 秀雄 ,  亀山 豊
出願人/特許権者： 大塚化学株式会社
代理人 (1件)： 田村 巌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247272
公開番号（公開出願番号）：特開2001-072686
特許番号：特許第4510957号
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】式(1)で表される3-セフェム化合物に溶媒中で式(2)で表されるアルケニルハライド、ニッケル触媒、標準酸化還元電位が-0.3(V/SCE)以下の金属、及び前記金属よりも高い標準酸化還元電位を有する金属の化合物を作用させることを特徴とする式(3)で表される3-アルケニルセフェム化合物又は3-ノルセフェム化合物の製造方法。 (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、又は保護されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、水酸基、又は保護された水酸基、水酸基若しくは保護された水酸基を置換基として有することのある低級アルキル基を示す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。Xはハロゲン原子、置換基を有することのある低級アルキルスルホニルオキシ基又は置換基を有することのあるアリールスルホニルオキシ基を示す。) (式中、R4は置換基を有することのある1-アルケニル基を示す。Yはハロゲン原子を示す。) (式中、R1、R2及びR3は前記と同じ。R5は水素原子又は置換基を有することのある1-アルケニル基を示す。)

IPC (4件)：

C07D 501/04 ( 200 6.01) ,  B01J 31/30 ( 200 6.01) ,  C07D 501/22 ( 200 6.01) ,  C07B 61/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C07D 501/04 ,  B01J 31/30 X ,  C07D 501/22 ,  C07B 61/00 300