特許

J-GLOBAL ID：201103031501765453

プラズマ処理装置、プラズマ処理方法およびプラズマ処理基板

発明者： 古川 良太 ,  永留 隆二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-272819
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083829
特許番号：特許第3494139号
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チップが搭載された基板が収納されるチャンバと、チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段と、チャンバに設けられた電極に高周波電圧を印加することによりチャンバ内にプラズマを発生させる電源部と、チャンバ内にあって基板が載置される受台と、受台の上方に配設されて基板に搭載されたチップを露呈させる開口部が開口されたマスク部材とを備え、この開口部を、チップの側部の基板の上面に形成されたパッドの配設エリアを露呈させ、且つパッドの周囲のモールド樹脂流出防止エリアを覆う大きさとしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  B08B 7/04 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 23/28 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/56 E ,  B08B 7/04 Z ,  H01L 23/28 C ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 N