特許

J-GLOBAL ID：201103031663881473

エッチングマスクの形成方法、凹凸基板の製造方法、および太陽電池の製造方法

発明者： 山下 彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-099826
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233560
出願日： 2010年04月23日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】 凹凸構造を形成することに適するような、微細なエッチング用の開口穴が適度に間隔を開けて散在するエッチングマスクを容易に形成する。【解決手段】 基板1の上に樹脂膜5を形成する樹脂膜形成工程と、前記樹脂膜5の膜厚よりも粒径の大きい粒子9を前記樹脂膜5の上に付着させる付着工程と、付着した前記粒子9を前記基板側に押して前記粒子9の一部が前記樹脂膜5の底面に接するようにする押圧工程と、前記粒子9を除去して前記樹脂膜5に穴を形成する穴形成工程と、を有するエッチングマスクの形成方法とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、 前記樹脂膜の膜厚よりも粒径の大きい粒子を前記樹脂膜の上に付着させる付着工程と、 付着した前記粒子を前記基板側に押して前記粒子の一部が前記樹脂膜の底面に接するようにする押圧工程と、 前記粒子を除去して前記樹脂膜を貫通する穴を形成する穴形成工程と、 を有するエッチングマスクの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L31/04 M ,  H01L31/04 S ,  H01L21/306 B

Fターム (22件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB03 ,  5F043CC14 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151DA04 ,  5F151DA20 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA19 ,  5F151GA03