電子素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：落合健 , 仁木一明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285793
特許番号：特許第4104241号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】負イオンビームを用いるイオンビーム蒸着法により形成されて、Csを膜内及び膜表面に多数点在させるように含む非晶質炭素膜(3)より構成される電子素子であって、前記膜表面には、そこに点在するCsが酸素と化合してできたCs酸化物よりなる複数の円錐状突起(p)が存在し、その突起(p)の平均高さhは、10nm≦h≦500nmであることを特徴とする電子素子。

IPC (2件)：