特許

J-GLOBAL ID：201103031820052303

半導体基板の製造方法

発明者： 伊藤 秀二
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-243523
公開番号（公開出願番号）：特開平3-209720
特許番号：特許第3016432号
出願日： 1989年09月21日
公開日（公表日）： 1991年09月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(a)シリコン基板上にシリコン窒化膜を形成する工程と、(b)前記シリコン窒化膜を選択的に除去する工程と、(c)前記シリコン基板上に溶融シリコンを供給した後、冷却固化する工程と、(d)前記冷却固化した単結晶シリコン層の表面を平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/84

FI (3件)：

H01L 21/208 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/84

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特表昭63-502472