特許
J-GLOBAL ID：201103031944462569
垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平木 祐輔
, 渡辺 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-157192
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014191
出願日： 2009年07月01日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】高いSNR、熱安定性、記録性能を同時に満たす垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板上に、磁性層軟磁性下地層、磁性層の配向と偏析を制御するための下地層、その下地層上に形成された酸化物を含有するCoとCrとPtを主体とする合金磁性材料からなる磁性層、その磁性層の上に形成された酸化物を含まないCoとCrとPtを主体とする強磁性金属層とを有する。酸化物を含む磁性層は二層以上の層から構成され、強磁性金属層に隣接する層のCr濃度が23at.%以上32at.%以下であり、隣接する層間のCr濃度の差が25at.%以下であり、最もCr濃度の低い層は酸化物が強磁性粒子を取り囲んだグラニュラー構造を有し逆磁区核形成磁界が159.2kA/m以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた軟磁性下地層と、
磁性層の配向と偏析を制御するための下地層と、
前記下地層上に形成された酸化物を含有するCoとCrとPtを主体とする合金磁性材料からなる磁性層と、
前記磁性層の上に形成された酸化物を含まないCoとCrとPtを主体とする強磁性金属層とを有し、
前記酸化物を含む磁性層は第一磁性層と第二磁性層の二層から構成され、前記強磁性金属層に隣接する前記第二磁性層のCr濃度が23at.%以上32at.%以下であり、前記第二磁性層のCr濃度とその下層に設けられた前記第一磁性層のCr濃度との差が25at.%以下であり、前記第一磁性層は強磁性粒子を酸化物が取り囲んだグラニュラー構造を有し、
逆磁区核形成磁界が159.2kA/m以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (5件)：
G11B 5/66
, G11B 5/65
, G11B 5/64
, G11B 5/738
, G11B 5/851
G11B5/66
, G11B5/65
, G11B5/64
, G11B5/738
, G11B5/851
5D006BB02
, 5D006BB06
, 5D006BB07
, 5D006BB08
, 5D006BB09
, 5D006CA03
, 5D006CA05
, 5D006CA06
, 5D112AA05
, 5D112BB05
, 5D112FA04
, 5D112FB19
審査官引用 (2件)
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垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-215196
出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
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垂直磁気記録媒体
公報種別：公開公報
出願番号：特願2008-088118
出願人：HOYA株式会社, ホーヤマグネティクスシンガポールプライベートリミテッド
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