特許
J-GLOBAL ID：201103032061739079
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-050903
公開番号（公開出願番号）：特開平2-230599
出願日： 1989年03月01日
公開日（公表日）： 1990年09月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】導通状態であるか遮断状態であるかによってデータを記憶する半導体記憶素子と、前記半導体記憶素子が接続されているビット線を充電する電圧印加手段と、前記ビット線における電位が予め定めるレベル以上であることを検出して第1の検出信号を出力する第1検出手段と、外部入力アドレス信号の遷移を検出して第2の検出信号を出力する第2検出手段と、前記第1の検出信号と前記第2の検出信号とに応答して、電圧印加手段の電圧印加期間を設定する期間設定手段とを含み、前記期間設定手段は、前記第2の検出信号が入力されてから前記第1の検出信号が入力されるまでの期間を前記電圧印加期間として設定するようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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