特許

J-GLOBAL ID：201103032166350355

エッチング方法

発明者： 田中 泰宏 ,  小川 尚希
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373126
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174011
特許番号：特許第3773840号
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上のシリコン露出面に形成されるアルミニウムを主成分とする材料からなる電極上に形成されるチタン膜、ニッケル膜を含む金属膜をエッチングするエッチング方法であって、 前記金属膜上にマスク層を形成する工程と、 前記チタン膜及びニッケル膜を含む金属膜の前記マスク層に覆われていない部分を、塩酸と、水と、グリセリンとを含むエッチング液に接触させることによりエッチングする工程と、 を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  C23F 1/26 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/306 F ,  C23F 1/26 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-176483