特許

J-GLOBAL ID：201103032283504959

プラズマCVD装置及び膜形成方法

発明者： 佐山 勝信 ,  中川 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273637
特許番号：特許第4386493号
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数の開孔が設けられた中空の第1電極とこれに対向する第2電極との間に電圧を印加してプラズマを発生させ、発生させたプラズマ中に原料ガスを前記開孔を介して前記第1電極内から供給し、前記第2電極に設けた基板に膜を形成するプラズマCVD装置において、前記基板の表面温度を中央部と周辺部とで均一となるように前記第1電極の中央部から供給される原料ガスの平均的な温度を前記第1電極の周辺部から供給される原料ガスの平均的な温度より高くするために、前記原料ガスを加熱すべくなしてある加熱手段を前記第1電極の内部に備えることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B