特許

J-GLOBAL ID：201103032307981516

光検知器及びその製造方法

発明者： 松倉 祐輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-220975
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071306
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極1と、下部電極1上方に形成された活性層9と、活性層9上方に形成された上部電極4と、が設けられている。活性層9には、障壁層2と、障壁層2と格子整合する量子井戸層3と、が設けられている。障壁層2及び量子井戸層3は、タイプII型の超格子を構成している。量子井戸層3には、第1の化合物半導体層3a及び3cと、第1の化合物半導体層3a及び3cの結晶に格子歪を生じさせる第2の化合物半導体層3bと、が設けられている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下部電極と、 前記下部電極上方に形成された活性層と、 前記活性層上方に形成された上部電極と、 を有し、 前記活性層は、 障壁層と、 前記障壁層と格子整合する量子井戸層と、 を有し、 前記障壁層及び前記量子井戸層は、タイプII型の超格子を構成し、 前記障壁層及び前記量子井戸層の少なくとも一方は、 第1の化合物半導体層と、 前記第1の化合物半導体層の結晶に格子歪を生じさせる第2の化合物半導体層と、 を有することを特徴とする光検知器。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (8件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049PA01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049RA04 ,  5F049WA01