特許
J-GLOBAL ID：201103032417322976
液相エピタキシャル法によるビスマス・イットリウム・鉄ガーネット結晶膜育成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-339355
公開番号（公開出願番号）：特開平3-197391
特許番号：特許第2826869号
出願日： 1989年12月26日
公開日（公表日）： 1991年08月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】所要の組成のガーネットをるつぼの中で溶融し、溶融液面に基板を浸漬しながら基板表面に結晶膜を育成する方法による、液相エピタキシャル法によるビスマス・イットリウム・鉄ガーネット結晶膜育成方法に於て、外るつぼと、流通孔とシャッターを有する内るつぼとからなる二重るつぼを用い、外るつぼ溶融液のビスマス・イットリウムの組成比を、結晶膜を育成する内るつぼ内の溶融液の組成比より高くし、内るつぼのシャッターの開閉時間を制御して外るつぼからの溶融液が内るつぼへ移る量を調整し、内るつぼ内の溶融液のビスマス、イットリウム、鉄ガーネットの組成比を一定になる様に構成したことを特徴とする、液相エピタキシャル法によるビスマス・イットリウム・鉄ガーネット結晶膜育成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/28
, C30B 19/06 Z
