特許

J-GLOBAL ID：201103032557874685

p-n接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法

発明者： 大久保 卓也 ,  大坪 裕彦
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-191903
公開番号（公開出願番号）：特開平3-055886
特許番号：特許第2747044号
出願日： 1989年07月25日
公開日（公表日）： 1991年03月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】p型又はn型の立方晶窒化ほう素半導体結晶の基体の1部の面に立方晶窒化ほう素結晶成長阻害層を設け、該基体、六方晶窒化ほう素、立方晶窒化ほう素合成触媒及び前記と異なる型のトープ剤とを超高圧装置に装填し、立方晶窒化ほう素の熱力学的安定領域下におくことにより、前記基体の結晶成長阻害層のない面に前記ドープ剤を含む立方晶窒化ほう素半導体結晶を成長させることを特徴とするp-n接合を有する立方晶窒化ほう素半導体の製造法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B01J 3/06 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 33/00 A ,  B01J 3/06 T ,  C30B 29/38 A ,  H01L 21/208 Z