特許
J-GLOBAL ID：201103032782450592
過電流検出回路及び過電流検出・保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
瀧野 秀雄
, 越智 浩史
, 松村 貞男
, 垣内 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051802
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252803
特許番号：特許第3589392号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】負荷と直列に接続され電源に対する前記負荷の接続をオン、オフするパワーMOSFETと、前記負荷及び前記パワーMOSFETの直列回路と並列に接続された基準抵抗手段及び基準MOSFETの直列回路を有する基準回路と、前記パワーMOSFETのドレイン-ソース間電圧と前記基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧との差に基づいて、前記パワーMOSFETパワーMOSFETに流れる過電流を検出する検出手段と、前記パワーMOSFETのオン直後、所定期間突入電流による前記パワーMOSFETのドレイン-ソ-ス間電圧の低下以上に前記基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧を低下させるように、前記基準抵抗手段の抵抗値を高い値に保持するように制御する抵抗値制御手段とを備えることを特徴とする過電流検出回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 17/08 C
, H03K 17/687 A
