特許

J-GLOBAL ID：201103032903317178

固体撮像素子

発明者： 沖川 満
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-298317
公開番号（公開出願番号）：特開平3-159171
特許番号：特許第2604250号
出願日： 1989年11月16日
公開日（公表日）： 1991年07月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n型Si基板の表面領域にpウェル領域が形成され、このpウェル領域内に電荷の蓄積転送チャネルとなるn型領域が形成されてnpn構造を成し、上記表面領域を被って絶縁膜及び複数のゲートが形成されてMOSダイオード構造を成す固体撮像素子において、上記ゲートの電圧を上記Si基板内の上記絶縁膜との界面を非空乏化するフラットバンド電圧としたときに界面から離れてn型領域内で極小となり、且つ、上記ゲートの電圧を上記フラットバンド電圧よりも低くくして上記チャネル領域内を電気的に分離したときに界面から内部に向かって低下するポテンシャル勾配が、上記Si基板内の不純物濃度分布により上記Si基板の深さ方向に与えられることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-165271
  
• 特開昭56-138371
  
• 特開昭57-002573