バンプの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-179720
公開番号（公開出願番号）：特開平3-044036
特許番号：特許第2818204号
出願日： 1989年07月12日
公開日（公表日）： 1991年02月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の表面を被覆する絶縁膜の開孔に半導体素子の電極部を露出させ、露出した前記電極部にレーザ光を照射してこの電極部を加熱すると共に、前記レーザ光により加熱された前記電極部に金属粉末を供給し、溶融した前記金属粉末を前記電極部上に付着・堆積させることを特徴とするバンプの形成方法。

IPC (1件)：